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薄膜方块电阻测试仪 型号：NXTR-1A/1B 中慧 |
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供应数量： |
314 |
发布日期： |
2025/6/23 |
有效日期： |
2025/12/22 |
原 产 地： |
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已获点击： |
314 |
产品报价： |
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薄膜方块电阻测试仪
型号：NXTR-1A/1B | 货号：ZH8860 | 产品简介:
薄膜方块电阻测试仪主来测量硅外延层、扩散层和离子注入层、导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻。它由电气测量部份（简称：主机）、测试架、四探针头及测量软件组成
使用范围
适用于西门子法、硅烷法等生产多晶硅料的企业
适用于物理提生产多晶硅料生产企业
适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
适用于科研、高等院校及需要量程测量电阻率的企业
产品特点
可测方块电阻：适合检测硅芯，检磷棒，检硼棒，籽晶等圆柱晶体硅
适用于西门子法、硅烷法等生产多晶硅料的企业
适用于物理提生产多晶硅料生产企业
适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
适用于科研、高等院校及需要量程测量电阻率的企业
测试量程大，电阻率测试仪
主机配置了“小游移四探针头”了一起数据的准确性
仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响，因此测试精度提高
测量精度高，除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能
特的设计能消除测量引线和接触电阻产生的误差， 测量的高精度和宽的量程范围
双数字表结构使测量，操作简便
具有的测试数据查询及打印功能
测量系统可实现自动换向测量、求平均值、zui大值、zui小值、平均百分变化率等
四探针头采用进口红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性提高
采用进口元器件，留有大的系数，提高了测试仪的性和使用寿命
测量电流采用高度稳定的恒流源（万分之五精度），不受气候条件的影响
具有正测反测的功能，测试结果的准确性
具有抗强磁场和抗高频设备的性能
测量范围
10-5 ------1.9*105 Ω?cm
10-4------1.9*104 Ω?cm
可测硅棒尺寸： zui大长度300mm；直径20mm（按用户要求改）
输出电流：DC0.001-100mA 五档连续可调 测量范围：0-199.99mV
灵 敏 度： 10μA
输入阻抗：1000ΩM
电阻测量误差：档均低于±0.05%
供电电源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
推荐使用环境：温度：23±2℃ 相对温度：≤65%
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