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半导体分立器件测试仪 型号：NIBJ-2939 中慧 |
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产品型号： |
NIBJ-2939 |
产品报价： |
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产品特点： |
该仪器充分吸收国外测试系统的特点，采用了的嵌入式计算机和优化结构、16位并行A/D和D/A、多开尔文反馈、小信号精密测试以及阵列开关结构，并选用材料制作。 |
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NIBJ-2939半导体分立器件测试仪 型号：NIBJ-2939 中慧的详细资料： |
半导体分立器件测试仪
型号：NIBJ-2939 | 货号：ZH9813 | 产品简介:
该仪器充分吸收国外测试系统的特点，采用了的嵌入式计算机和优化结构、16位并行A/D和D/A、多开尔文反馈、小信号精密测试以及阵列开关结构，并选用材料制作。在系统设计、选材、、制作、调试、校验等诸多方面与现有同类系统相比均有较大，从而提高了系统的性能和性，了该系统项性能指标处于、的地位。
其特点是：侧重于中小功率器件、测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试、速度快、有的重复性和*性、很高的工作稳定性和性，很强的保护系统和被测器件保护能力。系统软件功能、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定、硬件故障率低，在实际测试应用中项指标真实达到手册要求。
系统采用方便易学的窗口菜单界面，在PC机窗口提示下，输入被测器件的测试条件，测试人员即可轻松快捷地控制系统，完成填表编程和开发测试程序、测试器件。操作人员具备计算机编程语言知识，使用简捷方便。3分钟即可完成一种测试编程，编写完成后输入仪器即可测试。当然还可以在仪器下直接进行器件测试程序及条件的编写，方便灵活。系统和测试夹具均采用多开尔文结构，自动补偿系统内部产生的压降，种情况下测试结果的精度和准确性。
优良的、低廉的价格、周到的服务使得该系统在市场具有的竞争实力。“的、低端的价格、周到的、*的客户服务”是仪美达产品对市场和对客户的恒承诺。
特征
采用脉冲法测试参数、脉宽可为300μS，国军标的规定采用嵌入式计算机控制，实现脱机运行
16位并行D/A、A/D设计，测试速度快、精度高
采用多开尔文，系统稳定性高，测试结果准确
采用三保护，系统，对被测器件损伤
丰富的WINDOWS界面菜单编程和控制能力、方便的用户信息文件、统计文件方式
晶体三管自动NPN和PNP 判别能力，防止选错类型
二管性自动判别选择，用户测试二管不注意性
自检/自校准能力
测试系统需要的其它多种数据后处理能力
参数
主电压：200V
主电流：10mA
控制1电压：20V
控制1电流：10A
控制2电压：20V
控制2电流：1A
电压分辨率：1mV
电流分辨率：1nA
测试速度：器件不同速度也不同
试器件种类
测试功能加，可测试八类中、小功率的半导体分立器件：
二管
稳压（齐纳）二管
晶体管（NPN型/PNP型）
可控硅整流器（普通晶闸管）
双向可控硅（双向晶闸管）
MOS场效应管（N-沟/P-沟）
结型场效应管（N-沟/P-沟，耗尽型/增强型）
光电耦合器
上述所列类别包括中、小功率半导体分立器件及其组成的阵列、组合、表贴器件。
测试方法行业总规范、相应的标准、jun用器件测试标准。
提供上述类器件测试所用的不同封装形式的测试夹具和测试适配器。
可以定做种阵列、组合封装、表贴器件的测试夹具。
帮助用户开发种器件的测试程序。
参数
漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S、IDSS、IDOFF、IDGO、ICES、IGESF、IEBO、IGSSF、LGSSR、IGSS、IR(OPTO)
击穿参数： BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)
BVDSS、VD、 BVCBO、VDRM、VRRM、VBB
BVR、VD+、VD-、BVDGO、BV Z、BVEBO、BVGSS
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode) 、VGSTH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH
锁定参数：IL
混合参数：rDSON、gFS
测试盒说明：
测试盒共有五种：
1：可测二管、稳压二管；
2：可测封装为TO-92、TO-220等三个管脚在一个平面上的三端器件；
3：可测封装为TO-3及封装为F1、F2、F3、F4三端器件；
4：可测三个管脚分三角形排列，且器件壳体为小圆型的小功率三端器件；
5：可测DIP4、DIP6、DIP8封装的光电耦合器；
测试夹具：
测试夹具有三根夹子线，与测试盒1配合使用，用来测试器件形状，不能使用上述五种测试盒上的插座，则使用此三个夹子线直接夹在器件的管脚上进行测试。
表贴器件
其它表贴类型的器件，可根据实际器件的封装定做相应的测试盒。 |  |
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