1、可测量太阳能，多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面%抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管，硅单晶的少子寿命。
2、可测量太阳能，单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面%抛光、钝化。
3、配备，软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。
4、配置两种波长的红外光源：
a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。
b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能，硅晶体。
5、测量范围宽广
    测试仪可直接测量：
a、研磨或切割面：电阻率≥0.3Ω?㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。
b、抛光面：电阻率在0.3～0.01Ω?㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。
   寿命可测范围      0.25μS—10ms