高频光电导少数载流子寿命测试仪用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质的重要检测项目。

子寿命测定仪产品简介：
高频光电导少数载流子寿命测试仪仪器采用GB/T1553-1997中硅单晶少数载流子寿命测定高频光电导衰减法，主于测量高阻长寿命单晶，现在已经在半导体材料有限公司、研究所、峨嵋半导体材料厂、半导体材料有限公司等投入使用。
少子寿命测定仪参数：
测试单晶电阻率范围：ρ﹥2Ω•cm
可测单晶少子寿命范围：5μs~10000μs
红外光源配置： 波长1.06～1.09μm
仪器测量重复误差：﹤±25%
测量方式：采用数字示波器直接读数方式
消耗功率：﹤50W
工作条件：
温        度：10-35℃
湿        度：﹤65%
使用电源：AC220V 50HZ（建议配置稳压电源）
可测单晶尺寸：
断面竖测：
直        径：25mm-150mm
厚        度：2mm-500mm
纵向卧测：
直        径：5mm-20mm
长        度：50mm-800mm
高频振荡源：用石英谐振器，振荡频率30MHZ
前置放大器，放大倍数约25，频宽2HZ-2MHZ
可根据已知寿命样品调校测量寿命值，可调范围广